Sandisk desarrolla tecnología nand flash de 32 nanómetros |
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SANDISK DESARROLLA TECNOLOGÍA NAND FLASH DE 32 NANÓMETROS —EL CHIP DE MEMORIA FLASH MÁS PEQUEÑO Y AVANZADO DEL MUNDO. La combinación de X3 y 32 nanómetros supone grandes avances en tamaño y densidad; reduce de forma significativa el coste de fabricación al mismo tiempo que se mantiene el rendimiento
Madrid, 11 de febrero de 2009 — SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) y Toshiba Corporation han anunciado el desarrollo conjunto de memoria NAND flash de celdas multinivel (MLC) utilizando tecnología de proceso de 32 nanómetros (nm) para producir un chip de memoria de 3 bits por celda (X3) de 32 gigabits (Gb). Se espera que la presentación de este avance aporte rápidamente al mercado tecnologías avanzadas que permitirán mayores capacidades y reducirán los costes de fabricación de productos, que abarcan desde las tarjetas de memoria a las unidades de memoria de estado sólido (SSD). “El desarrollo de nuestra tercera generación de tecnología de 3 bits por celda en 32 nm, un año y medio después de la presentación de nuestra primera generación de 3 bits por celda en 56 nm, muestra el ritmo tan sumamente rápido necesario para ser un productor de primera línea en la industria actual. Esto nos permite ofrecer mayores capacidades de almacenamiento a la vez que se reducen los costes de fabricación – todo ello nos ayuda a ampliar nuestras diversas líneas de productos. Este nuevo desarrollo pone de relieve el profundo nivel de experiencia técnica e innovación de SanDisk que, en último término, beneficia a los consumidores”, afirmó Sanjay Mehrotra, cofundador y presidente de SanDisk. ” Tecnología X3 de 32 nm—Perfecta para las aplicaciones microSD “La pequeña superficie y la increíble densidad de la pastilla X3 de 32 nm hará posible la producción de tarjetas microSD de mayor capacidad que las que podrían fabricarse sin esta tecnología. El factor de forma microSD ha crecido en popularidad debido a la creciente demanda de almacenamiento de alta capacidad en teléfonos móviles, y X3 nos permitirá aportar nuevos e interesantes productos a este mercado”, dijo Yoram Cedar, vicepresidente ejecutivo de la unidad de negocio OEM e ingeniería corporativa de SanDisk. Un dispositivo basado en tecnologías clave de SanDisk “La tecnología de 32 nm se apoya en el exitoso despliegue de la litografía de inmersión en 43 nm de SanDisk para implementar un proceso de separadores sin incurrir en inversiones adicionales en equipos de litografía muy costosos. SanDisk aporta su longitud de cadena NAND de 64 bits a 32 nm, a la vez que compensa los efectos de interferencia bit a bit con innovadores algoritmos de programación y diseño del sistema”, dijo Klaus Schuegraf, vicepresidente de tecnología de memorias de SanDisk. SanDisk y Toshiba han presentado un documento conjunto sobre la memoria flash X3 de 32Gb en 32nm en la Conferencia Internacional 2009 sobre Circuitos de Estado Sólido (ISSCC), en el que destacan los avances técnicos que hicieron posibles los 32 nm. Se espera que la producción del chip X3 de 32Gb en 32nm comience en la segunda mitad de 2009. Acerca de SanDisk
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Madrid, 11 de febrero de 2009 — SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) y Toshiba Corporation han anunciado el desarrollo conjunto de memoria NAND flash de celdas multinivel (MLC) utilizando tecnología de proceso de 32 nanómetros (nm) para producir un chip de memoria de 3 bits por celda (X3) de 32 gigabits (Gb). Se espera que la presentación de este avance aporte rápidamente al mercado tecnologías avanzadas que permitirán mayores capacidades y reducirán los costes de fabricación de productos, que abarcan desde las tarjetas de memoria a las unidades de memoria de estado sólido (SSD). 
